Physique
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ItemEtude en DFT des propriétés électroniques, optiques, élastiques et thermiques des matériaux de structure chalcopyrite(UNIVERSITE CHADLI BENDJEDID-ELTARF, 2026)Nous avons étudié dans le cadre de ce travail, les propriétés physiques des matériaux chalcopyrites appartenant aux composés ternaires CdXP2 avec (X = Si, Ge et Sn) en utilisant les méthodes de premiers principes basées sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les calculs ont été effectués à l’aide de la méthode FP- LAPW telle qu’implémentée dans le code de calcul Wien2k, pour calculer les propriétés électroniques, optiques, élastiques et thermiques des matériaux de structure chalcopyrite. L’ensemble des calculs a été réalisé dans le cadre de l’approximation du gradient généralisé (GGA) pour la description du potentiel d’échange-corrélation. Les résultats obtenus montrent un bon accord avec les données expérimentales et théoriques disponibles dans la littérature. Afin de déterminer avec plus de précision les propriétés électroniques, nous avons utilisé, en plus de l’approximation GGA, l’approximation mBJ pour le calcul de la structure de bandes électroniques. Les résultats obtenus révèlent l’existence d’un gap directsitué le long de la direction (Γ–Γ). Afin de mieux comprendre le comportement mécanique des matériaux étudiés sous l’effet de la pression, nous avons calculé les constantes élastiques Cij. Concernant les propriétés optiques, nous avons évalué : la constante diélectrique ε(ω), l’indice de réfraction n(ω), le coefficient d’extinction k(ω), le coefficient d’absorption α(ω), la réflectivité R(ω) et le spectre de la fonction de perte d’énergie des électrons L(ω). Les paramètres du réseau, le module de compressibilité, les capacités calorifiques ( CV ) et ( CP), ainsi que la température de Debye ont également été déterminés dans l’intervalle de température 0–1000 K, tandis que l’influence de la pression a été analysée dans la plage de 0–10 GPa. في هذا العمل، درسنا الخصائص الفيزيائية لمواد الكالكوبيريت التابعة لمركبات CdXP2 الثلاثية (حيث X = Si، Ge، وSn) باستخدام طرق الحسابات الكمية المعتمدة على نظرية الكثافة الوظيفية (DFT). أُجريت الحسابات باستخدام طريقة FP-LAPW كما هو مُطبق في برنامج Wien2k لحساب الخصائص الإلكترونية والبصرية والمرنة والحرارية للمواد ذات بنية الكالكوبيريت. أُجريت جميع الحسابات ضمن إطار تقريب التدرج المعمم (GGA) لوصف جهد التبادل والترابط. تُظهر النتائج المُتحصل عليها توافقًا جيدًا مع البيانات التجريبية والنظرية المُتاحة في المراجع العلمية.لتحديد الخصائص الإلكترونية بدقة أكبر، استخدمنا، بالإضافة إلى تقريب GGA، تقريب mBJ لحساب بنية النطاقات الإلكترونية. وتُظهر النتائج المُتحصَّل عليها وجود فجوة نطاق مباشرة تقع على طول الاتجاه (Γ–Γ). ولفهم السلوك الميكانيكي للمواد المدروسة بشكل أفضل تحت تأثير الضغط، قمنا بحساب ثوابت المرونة Cij. أما فيما يتعلق بالخصائص البصرية، فقد قمنا بتقييم: ثابت العزل الكهربائي ε(ω)، ومعامل الانكسار n(ω)، ومعامل الامتصاص k(ω)، ومعامل الانعكاس α(ω)، ومعامل الانعكاس R(ω)، وطيف دالة فقد طاقة الإلكترون L(ω). تم أيضًا تحديد معلمات الشبكة، ومعامل الانضغاط، والسعات الحرارية (Cv) و (Cp)، بالإضافة إلى درجة حرارة ديباي، في نطاق درجة الحرارة من 0 إلى 1000 كلفن، بينما تم تحليل تأثير الضغط في نطاق من 0 إلى 10 جيجا باسكال.
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ItemRésolution de l'équation de Schrödinger avec le potentiel de kroning_penney et le potentiel double delta de Dirac(Université Chadli Bendjedid El-Tarf, 2022)Résumé L’objectif de ce travail consiste à résoudre l’équation de Schrödinger dans le cadre du modèle de Kronig-Penney et du modèle du potentiel double delta de Dirac pour, afin de trouver la structure des bandes d’énergie et d’examiner les propriétés de transport d’un superréseau, ou dans un cristal avec un potentiel périodique. Malgré que ces modèles sont des modèles très simplifiés des modèles réaliste, la structure de bande électronique obtenue à partir de ce modèle partage de nombreuses caractéristiques avec les structures de bande qui résultent de modèles plus sophistiqués. Abstract The objective of this work is to solve the Schrödinger equation within the framework of the Kronig-Penney model and the Dirac double-delta potential model for, in order to find the structure of the energy bands and to examine the properties transport of a superlattice, or in a crystal with a periodic potential. Although these models are very simplified models of realistic models, the electronic band structure obtained from this model shares many characteristics with the band structures that result from more sophisticated models. ملخص الهدف من هذا العمل هو حل معادلة شرودنجر في إطار نموذج كرونيغ بيني ونموذج ديراك مزدوج دلتا المحتملة من أجل إيجاد بنية نطاقات الطاقة وفحص خصائص نقل الشبكة الفائقة ، أو في بلورة ذات احتمالية دورية. على الرغم من أن هذه النماذج عبارة عن نماذج مبسطة جدًا لنماذج واقعية ، إلا أن بنية النطاق الإلكتروني التي تم الحصول عليها من هذا النموذج تشترك في العديد من الخصائص مع هياكل النطاق التي تنتج عن نماذج أكثر تعقيدًا.
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ItemInvestigation de l’auto-échauffement d’un MESFET GaAs via la dispersion de la conductance de sortie(Université Chadli Bendjedid El-Tarf, 2022)Résumé Le phénomène de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie et l'autoéchauffement constituent un obstacle au développement des circuits intégrés logiques ou numériques, qui repose principalement sur les transistors à effet de champ à grille Schottky à base d’arséniure de galium, MESFET GaAs, cette étude visait à comparer les résultats expérimentaux et théoriques de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie, gd, les résultats théoriques basé sur le modèle de Canfield et al. Déterminons ensuite la température optimale, encore appelée température de fonctionnement du transistor, correspondant au meilleur accord entre les résultats expérimentaux et celle théoriques. Cette température est principalement lié à la tension drain-source Vds et à la tension grille-source, Vgs, de sorte que l’augmentation de |Vgs| induit sa décroissance. Cette étude a été réalisée dans la gamme de fréquences [0,01 KHz - 100 KHz] sur deux types de transistors à effet de champ à grille Schottky, MESFET GaAs. Après avoir interprété et discuté les résultats expérimentaux et théoriques obtenus dans différentes polarisations, nous pouvons conclure qu'il existe une relation étroite entre les conditions de polarisation et la température de fonctionnement. Abstract The phenomenon of frequency dispersion of the output conductance and self-heating constitute an obstacle to the development of logic or digital integrated circuits, which is mainly based on Schottky gate field effect transistors based on Galium Arsenide, MESFET GaAs, this study aimed to compare the experimental and theoretical results of the frequency dispersion of the output conductance, gd, the theoretical results based on the model of Canfield et al. We then determine the optimum temperature, also called the operating temperature of the transistor, corresponding to the best agreement between the experimental results and the theoretical ones. This temperature is mainly related to the drain-source voltage Vds and the gate-source voltage, Vgs, so that the increase in |Vgs| induces its decrease. This study was performed in the frequency range [0.01 KHz - 100 KHz] on two types of Schottky Gate Field Effect Transistors, GaAs MESFET. After interpreting and discussing the experimental and theoretical results obtained in different polarizations, we can conclude that there is a close relationship between the polarization conditions and the operating temperature. ملخص تشكل ظاهرة تشتت أو تبدد التردد لموصلية الخروج و التسخين الذاتي عائقا أمام تطوير الدارات المتكاملة المنطقية أو الرقمية ، التي تعتمد أساسا على ترانزستور التأثير المجالي ذو بوابة شوتكي اهتمت هذه الدراسة بمقارنة نتائج تجريبية ، MESFET GaAs ونصف ناقل زرنيخ الغاليوم لنحدد بعدها .Canfield et al المعتمدة على نموذج gd وأخرى نظرية للتبدد الترددي لمواصلة الخروج درجة الحرارة المثلى وتسمى أيضًا درجة حرارة تشغيل الترانزستور المقابلة لأفضل توافق بين النتائج بحيث التزايد في قيم | Vgs التجريبية و النظرية. وتتعلق هذه الدرجة أساسا بجهد المصرف وجهد البوابة ]100 KHz – 0.01KHz[ يؤدي إلى انخفاضها. حيث تمت هذه الدراسة في مجال الترددات | Vgs على نوعين من الترانزستورات ذات التأثير المجالي ذو بوابة شوتكي. بعد تفسير ومناقشة النتائج التجريبية والنظرية التي تم الحصول عليها في دراسات مختلفة، يمكننا أن نستنتج أن هناك علاقة وثيقة ودرجة حرارة التشغيل. MESFET GaAs بين شروط استقطاب
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ItemEtude spectroscopique d’une matrice cristalline fluorée CaF2 dopée par l’ion de terre rare praséodyme (Pr3+) luminescent.(Université Chadli Bendjedid El-Tarf, 2022)Résumé : Notre travail porte sur les propriétés optiques de l’ion actif praséodyme Pr3+ dans une matrice cristalline fluorée CaF2. Cette matrice CaF2 : Pr3+ a été élaborée par la méthode de Czochralski. Les spectres d'absorption et d'émission de la matrice CaF2 :2.8 % Pr3+ sont enregistrés à température ambiante. L'analyse de Judd - Ofelt a été exploitée pour accéder aux trois paramètres phénoménologiques (Ω2, Ω4 et Ω6) et aux forces de transition mesurées DE mes JJ (S ) ' et calculées DE cal JJ (S ) ' . L’intensité de ces paramètres phénoménologiques pour CaF2 : 2.8% Pr3+ sont Ω2 = 1.15, Ω4 = 3.6 et Ω6 = 10 en (10-20 cm2). L’ajustement entre les forces de transitions mesurés et calculées a été réalisé par la méthode des moindres carrées. Les valeurs des paramètres t ont conduit au calcul des probabilités de transition radiatives, aux durées de vie radiatives des principaux niveaux émetteurs de l’ion actif Pr3+ et aux rapports de branchement des différentes transitions. Les spectres d’émission ont été calibrés en section efficace d’émission stimulée par la méthode de Fuchtbauer-Ladunburg. La valeur de la section efficace maximale est d’émission bleue de la matrice hôte CaF2 : 2.8% Pr3+ est (489nm) ém = 4.71.10-20cm2 pour la transition 3P0 →3H4. Cette valeur élevée peut faire de la matrice un bon candidat pour une éventuelle émission laser dans le visible et principalement dans le bleu. Abstract: Our work is devoted to the optical properties of the active praseodymium Pr3 + ion in a fluorinated crystal sample CaF2. CaF2: 2.8% Pr3 + is elaborated by the Czochralski method. The absorption and emission spectra of the CaF2: 2.8% Pr3 + matrix are recorded at room temperature. Judd - Ofelt analysis was exploited to access to the three phenomenological parameters (Ω2, Ω4 and Ω6), the measured transition strength mes DE JJ (S ) ' and calculated cal DE JJ (S ) ' . . The intensity of these phenomenological parameters for CaF2: 2.8% % Pr3 + are : Ω2 = 1.15, Ω4 = 3.6 and Ω6 = 10 in (10-20 cm2). The adjustment between the measured and calculated transition strength was performed by the least squares method. The values of the parameters t leads us to the calculation of the radiative transition probabilities, t the radiative lifetimes of the main emitting levels of the active ion Pr3 + and to the branching ratios of the different transitions. The emission spectra were calibrated in cross section of stimulated emission by the Fuchtbauer-Ladunburg method. The value of the blue emission cross section of the CaF2: 2.8% Pr3 + is (489nm) ém = 4.71.10-20cm2 for the 3P0 → 3H4transition. This high value can make the sample as a good candidate for possible laser emission in the visible and mainly in the blue. v ملخص: تم تطوير مصفوفة .CaF2: 2.8% Pr في مصفوفة بلورية مفلورة + 3 Pr يركز عملنا على الخصائص البصرية النشط + 3 : 2.8% Pr3 + .Czochralski بواسطة طريقة +CaF2 في درجة حرارة الغرفة. تم استغلال تحليل CaF2: 2.8% Pr يتم تسجيل أطياف الامتصاص والانبعاث لمصفوفة + 3 وقوى الانتقال المقاسة والمحسوبة. )Ω و 6 Ω و 4 Ω للوصول إلى المعلمات الظاهراتية الثلاثة ) 2 Judd - Ofelt 10-20 سم 2(. تم (10 = Ω 3.6 و 6 Ω4 = ، 15Ω2 = هي . 1 CaF2: 2.8% Pr شدة هذه المعلمات الظاهرية ل + 3 إجراء التعديل بين قوى الانتقال المقاسة والمحسوبة باستخدام طريقة المربعات الصغرى. قيمة المقطع .Fuchtbauer-Ladunburg تمت معايرة أطياف الانبعاث في المقطع العرضي للانبعاثات المحفزة بطريقة CaF2: 2.8% Pr العرضي البرتقالي للانبعاثات لمصفوفة + 3 ) 489( nm ém 2 cm 20 - 10 * 4 للانتقال = 4.71 H 3 → 0 P 3 . هذه القيمة العالية يمكن أن تجعل المصفوفة مرشحًا جيدًا لانبعاث الليزر المحتمل في اللون المرئي.
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ItemCARACTERISATION DE L’AMALGAME DENTAIRE PAR DRX(Université Chadli Bendjedid El-Tarf, 2022)Résumé L’intérêt de cette étude est de décrire les propriétés de microstructure de l’amalgame dentaire. L’alliage Ag-Sn-Cu sous forme de poudre a été caractérisé par la diffraction des rayons X (DRX), donnant deux phases différente de structure et de taille des grains. L’analyse les tailles des grains de chaque raie pour les deux phases montrent des valeurs nanométriques, qui résultent que notre alliage est nanocristallin. Les valeurs des paramètres cristallins sont comparables à ceux de la littérature. Abstract The interest of this study is to describe the properties of the microstructure of dental amalgam. The Ag-Sn-Cu alloy in powder form was characterized by X-ray diffraction (XRD), yielding two phases with different structure and grain size. The analysis of the tails of the grains of each line for the two phases demonstrated nanometric values, which result that our alloy is nanocrystalline. The values of the crystalline parameters are comparable to those of the literature. ملخص: تكمن أهمية هذه الدراسة في وصف خصائص البنية المجهرية لملغم الأسنان. تميزت سبيكة Ag-Sn-Cu في شكل مسحوق بحيود الأشعة السينية ) XRD ( ، مما أسفر عن مرحلتين بهيكل وحجم حبيبات مختلفين. أظهر تحليل ذيول حبيبات كل خط للمرحلتين قيمًا نانومترية ، مما أدى إلى أن سبيكة لدينا هي بلورية نانوية. قيم المعلمات البلورية قابلة للمقارنة مع تلك الموجودة في الأبحاث.