Analysis of physical properties of chalcogenides CaSe and ZnSe using FP-LAPW method
Analysis of physical properties of chalcogenides CaSe and ZnSe using FP-LAPW method
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Date
2025
Authors
DJEBALI Djihen
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
université chadli ben djedid eltarf
Abstract
In this work, we studied the structural, electronic and Optical properties of binary compounds
CaSe and ZnSe by the augmented and linearized plane wave method (FP-LAPW), based on
the density functional theory (DFT) implemented in the Wien2K code. We have used the
generalized gradient approximation (GGA) for the term of the potential for exchange and
correlation (XC) to study the structural properties.
The calculation of the structure of electronic bands was carried out in the approximation
generalized gradient (WC-GGA) and mBJ.
The study of the electronic structure of the binary compounds CaSe and ZnSe has been
carried through the calculation of the band structure, total and partial electronic density of
states diagrams (TDOS and PDOS).
We have also analyzed the optical properties (dielectric function, refractive index, the
absorption coefficient, the reflection coefficient and the energy loss coefficient).
Several calculated results have been compared with available experimental and other
theoretical data.
Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurelles, électroniques et optiques des
composés binaires CaSe et ZnSe par la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées
(FP-LAPW), basée sur la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) implémentée dans le
code Wien2K. Nous avons utilisé l'approximation du gradient généralisé (GGA) pour le terme
du potentiel d'échange et de corrélation (XC) afin d'étudier les propriétés structurelles.
Le calcul de la structure des bandes électroniques a été réalisé dans l'approximation du
gradient généralisé (WC-GGA) et mBJ.
L'étude de la structure électronique des composés binaires CaSe et ZnSe a été réalisée par le
calcul de la structure de bande, des diagrammes de densité d'états électroniques totale et
partielle (TDOS et PDOS).
Nous avons également analysé les propriétés optiques (fonction diélectrique, indice de
réfraction, coefficient d'absorption, coefficient de réflexion et coefficient de perte d'énergie).
Plusieurs résultats calculés ont été comparés aux données expérimentales et théoriques
disponibles.
ف اذه ،لمعلا ةساردب انمق صئاصخلا ةيوينبلا ةينورتكللإاو ةيرصبلاو تابكرملل ةيئانثلا
CaSe و ZnSe مادختساب ةقيرط ةجوملا ةيوتسملا ةززعملا ةيطخلا (FP-LAPW) ،
اًدانتسا ىلإ ةيرظن ةفاثكلا ةيفيظولا (DFT) ةقبطملا يف دوك .Wien2K
انمدختسا بيرقت جردتلا ممعملا (GGA) حلطصمل دهج لدابتلا طابترلااو (XC) ةساردل
صئاصخلا ةيوينبلا .
مت باسح ةينب قاطنلا ينورتكللإا مادختساب بيرقت جردتلا ممعملا (WC-GGA) و .mBJ
تمت ةسارد ةينبلا ةينورتكللإا تابكرملل ةيئانثلا CaSe و ZnSe نم للاخ باسح ةينب
،قاطنلا تاططخمو ةفاثكلا ةينورتكللإا ةيلكلا ةيئزجلاو تلااحلل TDOS) و . ( PDOS.
امك انمق ليلحتب صئاصخلا ةيرصبلا ( ةلادلا ،ةلزاعلا لماعمو ،راسكنلاا لماعمو
،صاصتملاا لماعمو ،ساكعنلاا لماعمو نادقف ةقاطلا .)
تنروق ديدعلا نم جئاتنلا ةبوسحملا تانايبلاب ةيبيرجتلا ةيرظنلاو ةحاتملا .